王颖
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功率半导体器件碳化硅氮化镓
研究方向/领域 :
硅基和宽禁带（碳化硅、氮化镓）功率半导体器件新结构设计与可靠性研究，尤其在功率MOSFET、功率肖特基器件以及功率器件的抗辐射加固技术方面具有较好的研发经验。
服务企业、产业相关工作成效、研究成果与荣誉：
男，博士，教授。2005年毕业于西安交通大学，获微电子学与固体电子学专业工学博士学位，2009年破格晋升为教授，2016年2月加入杭州电子科技大学电子信息学院。以第一/通讯作者发表SCI收录论文90余篇，包括本领域顶尖期刊IEEE EDL和IEEE TED论文36篇（一作24篇），获省自然科学二等奖2项、技术发明三等奖1项及省青年科技奖。省“钱江学者”特聘教授、省"万人计划"科技创新领军人才、省杰出青年科学基金、省杰出青年基金和教育部"新世纪优秀人才支持计划"、IEEE Senior member等。
研究成果与项目：
长期从事功率半导体器件机理及可靠性方面的研究工作，作为项目负责人主持国家自然科学基金（面上2项、青年）、教育部科技重大项目、装备预研重点实验室基金项目、省自然基金重点项目等。
