董建荣
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半导体光电子材料MOCVD多结光伏器件半导体激光器
研究方向/领域 :
半导体光电子材料与器件、MOCVD， 多结光伏器件，半导体激光器
服务企业、产业相关工作成效、研究成果与荣誉：
1989年和1992年在西安电子科技大学分别获得学士和硕士学位，1996在中国科学院半导体研究所获半导体物理与器件专业博士学位。1996年3月至1997年8月在中国科学院半导体研究所任助理研究员，1997年9月至2008年1月在新加坡科技研究局材料研究院分别任助理研究员和Research Scientist，2008年1月加入苏州纳米所任研究员。曾研制650、795、808、865、980、1310和1550 nm多款半导体激光器、多结太阳电池和垂直腔面发射激光器。曾负责973课题、科技部国际合作项目、中科院知识创新工程重要方向项目、院地合作项目、国家基金委用面上项目、市科技项目和与企业和合作项目等多个项目。发表论文九十多篇，拥有四十多项发明专利。2009年入选中科院“百人计划”，2010年获得工业园区金鸡湖双百人才计划-“科教领军人才”奖，2012年省科学技术三等奖（排名第二）。
研究成果与项目：
多年来一直从事MOCVD 生长InP 和GaAs 基光电子材料、材料表征及器件研究，包括半导体体激光器和半导体多结光伏电池。
1.多结激光光伏电池技术
2.III-V族半导体MOCVD生长技术
3.半导体光伏器件
4.半导体激光器
