于洪宇
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研究方向/领域 :
GAN器件与系统集成、CMOS、新型超高密度存储器、多层陶瓷电容器
服务企业、产业相关工作成效、研究成果与荣誉：
于洪宇，2011年至今南方科技大学教授，目前担任系副主任，深港微电子学院筹建办公室执行主任，第三代半导体研究院副院长。
代表南科大与第三代半导体产业技术创新战略联盟共同筹建深圳第三代半导体研究院，与清华大学共同牵头筹建未来网络高端器件制造业创新中心，筹建南科大深港微电子学院。
牵头组建深圳市第三代半导体重点实验室、广东省GaN器件工程技术中心，并成立团队。
入选首批国家“千人计划”（青年项目），享受深圳市政府特殊津贴，英国工程技术学会会士(Fellow of IET)，任中国最高综合类学术期刊Science Bulletin（科学通报英文版）副主编以及《Journal of Semicondictor》编辑。
南方科技大学杰出科研奖；市区B类领航人才；第一批青年千人计划入选者；市海外高层次“孔雀计划”B类人才；鹏城学者；市政府特殊津贴；英国工程技术学会，会士（Fellow of IET）；新加坡国大校长奖学金；IEEE 电子器件协会博士生奖学金；VLSI会议亮点文章；南洋”助理教授奖；陈振传学术交流奖；MRS-ICMAT最佳Poster奖: 太阳能电池工作；天津大学/天津理工大学兼职教授；The Open Electrical & Electronic Engineering Journal编委会委员；Journal of Semiconductors 编委会委员；Senior Member of IEEE；发表学术论文350篇以上（包括期刊与会议），其中160篇被SCI收录，总他引次数超过了4500 次，H 影响因子为37。受邀撰写了4 本专业书籍的章节，并编辑2本书籍，Hafnium: Chemical Characteristics, Production and Application和Gallium Nitride Power Devices。
研究成果与项目：
在集成电路工艺与器件方面，包括CMOS、新型超高密度存储器、GaN器件与系统集成（GaN HEMT），取得的一系列创新性工作。
发表/被授予近20 项美国/欧洲专利以及两项国内专利。作为项目负责人，承担超过 5000 万人民币的科研项目。
