类金刚石薄膜半导体光电性能和应用的研究
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技术编号：G19011810493789
合作方式：合作开发
所属领域：材料科技
应用行业：化工新材料,生产\加工\制造,其它
类金刚石薄膜半导体光电性能和应用的研究一、项目简介类金刚石半导体薄膜特点：1．宽带隙并且可在2ev～5ev范围内调节。2．高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。3．可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。4．可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等…
技术详述
类金刚石半导体薄膜特点：
1．宽带隙并且可在2ev～5ev范围内调节。
2．高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。
3．可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。
4．可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。
5．具有很高的电子亲和势，可用于制备各种微真空器件的冷阴极。
6．制造成本低。以甲烷、乙炔等气体为原料采用PECVD等方法生长。
技术优势
测量和分析人工生长的类金刚石薄膜各种半导体光电性能，如禁带宽度、导电类型、迁移率、掺杂浓度、介电常数、折射率、厚度等基本参数和特性，改进材料生长条件，探索类金刚石薄膜材料在半导体光电器件的可能应用。
效果指标
案例描述
适用对象
合作开发。
