多晶硅提纯的除P工艺及设备
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技术编号：G19011616315395
合作方式：技术转让,面议
所属领域：能源电力,环境工程,材料科技
应用行业：生产\加工\制造,其它
多晶硅提纯的除P工艺及设备 一、项目简介P是硅中的主要非金属杂质元素，在硅熔体中的分凝系数为0.35，用传统的定向凝固方法很难去除。本技术采用2N的工业硅为原料，通过真空电磁感应熔炼除P和快速顺序凝固工艺去除工业硅中的大多数金属杂质。设备包括电磁感应加热装置、强…
技术详述
P是硅中的主要非金属杂质元素，在硅熔体中的分凝系数为0.35，用传统的定向凝固方法很难去除。本技术采用2N的工业硅为原料，通过真空电磁感应熔炼除P和快速顺序凝固工艺去除工业硅中的大多数金属杂质。设备包括电磁感应加热装置、强烈搅拌对流装置、倾倒和真空大气转换装置。主要通过自主设计和加工，使用安全可靠；节约能源和资源，废料回收综合利用。无污染物排放，实现清洁生产。
可将工业硅中的P从30 ppmw左右降低到0.1 ppmw以下，Al、Ca等金属杂质降低90％以上。
技术优势
对真空除P的研究已有20余年的历史，从100克，15公斤、50公斤的规模做过系统研究与中试实验，并在国内部分硅冶金企业试验，方法可行。在实验室已经能将P含量稳定控制在0.1 ppm以下。可转向大批量生产（单炉次200Kg）。可自主设计相关设备。
效果指标
案例描述
适用对象
产业化合作研发，技术转让。
