通讯InGaAs/InP PIN光电探测器芯片
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技术编号：G19011611542028
合作方式：技术转让,合作开发
所属领域：机械电子
应用行业：IT\通信\电子\互联网,生产\加工\制造,其它
通讯InGaAs/InP PIN光电探测器芯片 一、项目简介特点：1．暗电流低。利用异质结分离效应，光敏直径75微米芯片的暗电流可达到0.1nA。2．光响应度高。1310nm 达0.85～0.90 A/W,1550nm达0.95～1.05 A/W。3．频率高。光敏直径75微米芯片的截止频率为2.5GHz以上。4．性能可靠。…
技术详述
特点：1．暗电流低。利用异质结分离效应，光敏直径75微米芯片的暗电流可达到0.1nA。2．光响应度高。1310nm 达0.85～0.90 A/W,1550nm达0.95～1.05 A/W。3．频率高。光敏直径75微米芯片的截止频率为2.5GHz以上。4．性能可靠。采用氧化铝为钝化掩膜，芯片性能在10年以上。5．制造成本低。采用开管锌扩散工艺，大大节省了成本和时间。
主要技术指标：InGaAs/InP PIN 光电探测器芯片（以光敏直径75微米为例）的主要参数：工作波长：1.30～1.55微米; 工作电压：－5伏；响应度：0.85～1.05A/W（在1.31～1.55微米）; 暗电流：～0.5nA（10-9安培）；响应时间：80～120ps （皮秒）; 总电容：1.1pF （VR= -5V, f = 1MHz）；反向击穿电压：≥ 20伏; 工作寿命：～100万小时。
技术优势
本芯片制造技术已经逐渐成熟，完成了实验室小试、中试，工业化试生产，以及小批量供应国内外用户使用得到好评。
效果指标
案例描述
适用对象
技术转让或合作开发。
