新型功能性连续SiC自由薄膜
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技术编号：G19011509075407
合作方式：技术转让,合作开发,面议
所属领域：材料科技,机械电子
应用行业：化工新材料,生产\加工\制造,其它
新型功能性连续SiC自由薄膜 一、项目简介及技术指标本项目处于国际领先水平。主要创新点：(1) 采用熔融纺膜与先驱体转化法相结合制备出了新型的功能性连续SiC自由薄膜（厚度8~100微米，宽度20毫米，连续长度＞100米）；(2) 从原料的合成阶段引入异质元素改性，制备出了耐…
技术详述
本项目处于国际领先水平。主要创新点：(1) 采用熔融纺膜与先驱体转化法相结合制备出了新型的功能性连续SiC自由薄膜（厚度8~100微米，宽度20毫米，连续长度＞100米）；(2) 从原料的合成阶段引入异质元素改性，制备出了耐超高温、低电阻率及高频发光特性的连续SiC(Al)自由薄膜及适合太阳能电池窗口材料的P型光伏薄膜。
主要特色：自由薄膜制备具有成本低、工艺简单、可工程化及结构功能一体化等特点，所制备的产品具有厚度与成分可控、高频宽谱带蓝光、紫外光发射、强抗辐射能力、耐磨损、耐高温及化学稳定性好等优良特性。此外，利用连续SiC自由薄膜独特的性质可在其表面形成一层连续的SiO2氧化层，这对各种制作以MOS为基础的器件非常有利。
产品的主要技术指标：
(1) 连续长度＞100 m (4) 硬度：~10GPa
(2) 厚度：8~100µm，可调节 (5) 电阻率：~106Ω•cm，可调节
(3) 弹性模量：250GPa (6) 光致发光：385~470nm强高频宽谱带蓝光、紫外光发射
技术优势
项目组已突破了具有光电特性的连续SiC自由薄膜的关键技术，并制备出多种组分PCS先驱体，掌握了连续SiC自由薄膜不熔化交联预处理与高温裂解烧结的关键工艺，形成了连续SiC自由薄膜材料小批量生产能力。本技术已申报并公开了“一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法”（CN101219788）、“一种发光碳化硅薄膜的制备方法”（CN 101275075）等6项国家发明专利，在国内外重要学术刊物上发表论文6篇。
效果指标
案例描述
适用对象
技术转让或联合开发。
