一种离子束掺杂制备宽光谱响应二氧化钛薄膜的方法
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技术编号：G19042917055883
合作方式：面议
所属领域：材料科技,机械电子
应用行业：化工新材料,生产\加工\制造,其它
本发明提供了一种宽光谱响应二氧化钛薄膜的制备方法。该方法利用MEVVA源将V/N双元素注入到纳米二氧化钛薄膜，得到金属/非金属双元素掺杂的纳米二氧化钛薄膜。本发明所制备的双元素掺杂的二氧化钛薄膜拓宽了二氧化钛对光的响应范围，可提高二氧化钛对光的利用范围，从而提…
技术详述
本发明提供了一种宽光谱响应二氧化钛薄膜的制备方法。该方法利用MEVVA源将V/N双元素注入到纳米二氧化钛薄膜，得到金属/非金属双元素掺杂的纳米二氧化钛薄膜。本发明所制备的双元素掺杂的二氧化钛薄膜拓宽了二氧化钛对光的响应范围，可提高二氧化钛对光的利用范围，从而提高其光催化效率，能广泛应用于光电子领域。
